Como el pulido de obleas de cerámica de alúmina y los discos de lapeado de zafiro utilizados en el pulido de semiconductores, diamantes, etc.
Proceso: Todo tipo de proceso de pulido y lapeado, como pulido mecánico químico CMP, pulido mecánico, pulido de precisión.
Alta pureza y durabilidad química
Alta Resistencia Mecánica y Dureza
Alta resistencia a la corrosión
Resistencia de alto voltaje
Resistente a altas temperaturas hasta 1700ºC
Rendimiento extremadamente resistente a la abrasión
Excelente rendimiento de aislamiento
Todo tipo de tamaño 180.360, 450, 600 mm, etc.
| Nombre del producto | Discos de lapeado de pulido de cerámica de alúmina de alta pureza 99.7 |
| Material | 99,7% alúmina |
| Talla normal | D180, 360, 450, 600 mm, se aceptan tamaños personalizados. |
| Color | Marfil |
| Solicitud | Proceso CMP de obleas y zafiros en la industria de semiconductores |
| La orden mínima | 1 foto |
| Unidad | 99.7 Cerámica de alúmina | ||
| Propiedades generales | contenido de Al2O3 | % en peso | 99.7-99.9 |
| Densidad | g/cc | 3.94-3.97 | |
| Color | - | Marfil | |
| Absorción de agua | % | 0 | |
| Propiedades mecánicas | Resistencia a la flexión (MOR) 20 ºC | MPa(psix10^3) | 440-550 |
| Módulo elástico 20ºC | GPa (psix10^6) | 375 | |
| Dureza Vickers | Gpa(kg/mm2) R45N | >=17 | |
| Resistencia a la flexión | promedio general | 390 | |
| Resistencia a la tracción 25ºC | MPa(psix10^3) | 248 | |
| Resistencia a la fractura (KI c) | MPa* m^1/2 | 4-5 | |
| Propiedades Térmicas | Conductividad térmica (20ºC) | W/mk | 30 |
| Coeficiente de expansión térmica (25-1000ºC) | 1x 10^-6/ºC | 7.6 | |
| Resistencia al choque térmico | ºC | 200 | |
| Temperatura máxima de uso | ºC | 1700 | |
| Propiedades eléctricas | Rigidez dieléctrica (1 MHz) | ac-kv/mm(ac v/mil) | 8.7 |
| Constante dieléctrica (1 MHz) | 25ºC | 9.7 | |
| Resistividad de volumen | ohm-cm (25ºC) | >10^14 | |
| ohm-cm (500ºC) | 2 × 10 ^ 12 | ||
| ohm-cm (1000ºC) | 2 × 10 ^ 7 |
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